场效应管
场效应管是一种带有PN 结的新型半导体器件，场效应管与半导体三极管的控制机理不同，它是一种电压控制器件，即利用电场效应来控制管子的电流，故命名为场效应管(用FET表示) 目前场效应管的品种很多，但可划分为两大类，一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅型场效应管，又...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-11 05:59:32 点击：104 评论：0

场效应管的结构及特性
一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管(MOS管) 三、V-MOS场效应管...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:00:58 点击：77 评论：0

结型场效应管
这里以N 沟道结型场效应管为例.说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图16-1为N 沟道结型场效应管的结构示意图在一块N 型硅材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S) 和漏极(D) 。在它的两边各附一小片P 型材料并引出一个电极，称为栅极(G) 。这样在沟道和栅极间便形...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:04:37 点击：54 评论：0

绝缘栅型场效应管(MOS管)
绝缘栅型场效应管的结构如图16-6 所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从Si02上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，可达1 X 10 12𛥤𘊯𜌨̨𞓥奧&#...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:29:45 点击：78 评论：0

V-MOS场效应管
V-MOS 场效应管的结构如图16-10 所示。它是在N+ 衬底上的N-外延层上，先后进行P-型区和N+ 型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V 形槽C 漏极从芯片的背面引出.源极及栅极在V 形槽的两个臂上制成。...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:38:58 点击：34 评论：0

场效应管的主要特性参数
一、直流参数 二、微变参数 三、其他参数...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:46:56 点击：46 评论：0

直流参数
在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:47:28 点击：43 评论：0

微变参数
在漏源电压UDS一定时，漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，即...
作者：buyecs.com 来源：电子元件网 时间：2008-11-10 00:52:41 点击：34 评论：0